芯片專(zhuān)利史（一）

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“從專(zhuān)利的角度是最容易把人類(lèi)芯片發(fā)展歷程理清楚，因?yàn)樵谛酒陌l(fā)展歷程中，幾乎每一項(xiàng)基礎(chǔ)專(zhuān)利都是一個(gè)諾貝爾獎(jiǎng)，同時(shí)也是一家公司甚至一個(gè)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)?！?br/>

來(lái)源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）

作者：佑斌

最近，OPPO突然關(guān)停旗下的芯片公司哲庫(kù)，日本出臺(tái)半導(dǎo)體制造設(shè)備的管制措施，在國(guó)內(nèi)外引起了廣泛討論。芯片產(chǎn)業(yè)非常特殊，芯片是數(shù)據(jù)和計(jì)算的載體，現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)中所有涉及到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的設(shè)備幾乎都會(huì)用到芯片，芯片某種程度上是人類(lèi)第三次科技革命的基礎(chǔ)設(shè)施。正是因?yàn)槎?zhàn)后芯片的發(fā)明和進(jìn)步，才觸發(fā)和推動(dòng)了第三次科技革命，讓人類(lèi)進(jìn)入數(shù)字化和網(wǎng)絡(luò)化的時(shí)代。

芯片從上世紀(jì)50年代發(fā)明以來(lái)，一直以后都是工業(yè)革命的基礎(chǔ)設(shè)施，已經(jīng)發(fā)展60多年了，人類(lèi)在這半個(gè)多世紀(jì)取得的進(jìn)步超過(guò)以往任何時(shí)代，最大的原因就是芯片算力的飛速增強(qiáng)。在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，人類(lèi)的進(jìn)步依然依靠算力的進(jìn)步，人工智能的發(fā)展也從側(cè)面印證了這一點(diǎn)。

芯片是如此重要，這就決定著未來(lái)人類(lèi)依然會(huì)把最強(qiáng)的資源投入到芯片的研發(fā)和制造中，不斷提高芯片的算力，減少芯片制造的成本。

關(guān)于如何發(fā)展中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)界的討論很多。但筆者想從專(zhuān)利的角度談一下。既然要自主創(chuàng)新，了解下芯片的技術(shù)發(fā)展脈絡(luò)和創(chuàng)新的過(guò)程肯定是有幫助的。從專(zhuān)利的角度是最容易把人類(lèi)芯片發(fā)展歷程理清楚，因?yàn)樵谛酒陌l(fā)展歷程中，幾乎每一項(xiàng)基礎(chǔ)專(zhuān)利都是一個(gè)諾貝爾獎(jiǎng)，同時(shí)也是一家公司甚至一個(gè)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。這些專(zhuān)利都是芯片巨頭的源頭。我們順著這條線可以看到芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，然后再?gòu)膶?zhuān)利的角度分析下我們的芯片產(chǎn)業(yè)方向，或許有一些價(jià)值。

1948年6月26日，貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克利申請(qǐng)了改進(jìn)的晶體管的專(zhuān)利，專(zhuān)利號(hào)為US2569347，題目為“使用半導(dǎo)體材料的電路原件”，晶體管是芯片的基本元素，正是肖克利的這件專(zhuān)利拉開(kāi)了芯片發(fā)明的序幕。這件專(zhuān)利1951年9月25日獲得授權(quán)。這件專(zhuān)利價(jià)值連城，后來(lái)迫于反壟斷的壓力，以25000美元的專(zhuān)利許可費(fèi)許可多家公司。

肖克利的晶體管專(zhuān)利

1949年4月14日，德國(guó)的維爾納·雅各比申請(qǐng)了半導(dǎo)體放大器專(zhuān)利，采用多個(gè)晶體管連接形成放大器，用來(lái)代替電子管放大器。

芯片原型專(zhuān)利

這件專(zhuān)利的構(gòu)思非常簡(jiǎn)單，但多次入選20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一，可以說(shuō)這件專(zhuān)利是芯片最早的原型。

1954年12月24日，貝爾實(shí)驗(yàn)室的Lincoln Derick申請(qǐng)了第一件二氧化硅薄膜專(zhuān)利，發(fā)明名稱(chēng)為“硅裝置的制造”，這是最早的芯片材料專(zhuān)利。

第一項(xiàng)二氧化硅薄膜專(zhuān)利

1957年10月31日，美國(guó)的Jay Lathrop和James Nall申請(qǐng)了第一件光刻機(jī)專(zhuān)利，發(fā)明名稱(chēng)為“半導(dǎo)體制造”，專(zhuān)利號(hào)為US2890395。

第一項(xiàng)光刻機(jī)專(zhuān)利

1959年2月6日，德州儀器的基爾比申請(qǐng)了一件名為“小型化電路”的專(zhuān)利，專(zhuān)利號(hào)為US3138743，在權(quán)利要求中提出了集成電路的概念，如下：

1.在單晶半導(dǎo)體材料晶圓中具有多個(gè)電路組件的集成電路中，在晶圓中定義的多個(gè)結(jié)型晶體管均在其中，每個(gè)導(dǎo)體都包含導(dǎo)電體，這是由導(dǎo)體類(lèi)型的導(dǎo)體層組成的在提供覆蓋集合體區(qū)域的基礎(chǔ)和發(fā)射區(qū)域的晶片中，每個(gè)SAD晶體管的基極-發(fā)射體和基體連接都延伸到所說(shuō)的一個(gè)主要面上，在整個(gè)區(qū)域中很長(zhǎng)的一段為了提供半導(dǎo)體電阻器，將長(zhǎng)區(qū)域設(shè)置在與晶體管相同的一個(gè)主要面上，并且將長(zhǎng)區(qū)域的選定區(qū)域連接到選定的晶體管區(qū)域。

基爾比的芯片專(zhuān)利

1959年7月30日，仙童半導(dǎo)體的諾伊斯也幾乎同時(shí)申請(qǐng)了集成電路的專(zhuān)利，專(zhuān)利號(hào)為US2981877A，題目為“半導(dǎo)體器件和引線結(jié)構(gòu)”，權(quán)利要求為：

1. 半導(dǎo)體電路裝置，在單晶 p 型硅半導(dǎo)體主體中，具有至少兩個(gè)帶 pn 結(jié)的半導(dǎo)體電路元件，其邊緣區(qū)域位于半導(dǎo)體主體表面的同一側(cè)，并且在至少兩個(gè)電路元件的p區(qū)和η區(qū)通過(guò)線連接，線的末端連接到某些p和η區(qū)的歐姆接觸，其特征在于，15a)半導(dǎo)體本體的表面?zhèn)仁瞧教沟牟⑶冶话雽?dǎo)體材料的氧化物層覆蓋，b) 用于形成區(qū)域接觸的那部分氧化層已被去除，c) 去除通過(guò)接觸橋接的半導(dǎo)體本體表面上 pn 結(jié)邊緣區(qū)域部分上的氧化層，d) 線路排列在半導(dǎo)體材料的氧化物層上并粘附在其上，e) 并且半導(dǎo)體本體的另一表面?zhèn)龋ㄆ渖蠜](méi)有pn結(jié)的邊緣區(qū)域）覆蓋有金屬層，該金屬層用作電路裝置的公共連接。

諾伊斯的芯片專(zhuān)利

后來(lái)諾伊斯所在的仙童半導(dǎo)體和基爾比所在的德州儀器進(jìn)行多年的專(zhuān)利大戰(zhàn)，爭(zhēng)奪芯片的專(zhuān)利權(quán)。1969年，美國(guó)法院裁定芯片的發(fā)明權(quán)屬于二人，雙方的權(quán)利要求沒(méi)有重疊，都是芯片的重要部分，共同成為芯片的發(fā)明者。隨后，德州儀器和仙童半導(dǎo)體進(jìn)行了交叉許可。

至此，真正的現(xiàn)代芯片產(chǎn)生，幾乎這里的每個(gè)專(zhuān)利都是諾獎(jiǎng)級(jí)別，每個(gè)專(zhuān)利都是一項(xiàng)諾貝爾獎(jiǎng)，直接推動(dòng)了第三次科技革命的誕生。

德州儀器和仙童半導(dǎo)體也是最早的芯片廠家，但是這時(shí)候的芯片市場(chǎng)還是非常有限，此后很多科學(xué)家在此基礎(chǔ)不斷優(yōu)化，芯片的性能不斷提升，涉及的行業(yè)范圍也逐漸擴(kuò)大，向產(chǎn)業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域開(kāi)始滲透。

1960年5月31日，美籍華人科學(xué)家發(fā)明薩支唐申請(qǐng)了場(chǎng)效應(yīng)晶體管專(zhuān)利，發(fā)明名稱(chēng)為“電場(chǎng)控制的半導(dǎo)體裝置”，專(zhuān)利號(hào)為US3102230，權(quán)利要求為：

1.結(jié)合起來(lái)的半導(dǎo)體晶圓，至少包括一個(gè)導(dǎo)電類(lèi)型的第一和第三區(qū)域，該區(qū)域由相反的導(dǎo)電類(lèi)型的第二區(qū)域分開(kāi)，并分別定義了第二和第二PN結(jié)，第一和第二個(gè)PN結(jié)晶圓中，在最主要的主要表面上覆蓋有一層電介質(zhì)，用于表示沿所述第一和第二PN結(jié)施加電壓，是一種用于沿整個(gè)電場(chǎng)施加電場(chǎng)的方法，用于既包含所述介電層，又包含所述半導(dǎo)電層電場(chǎng)特別地被表征為響應(yīng)于所述第一PN結(jié)和第二PN結(jié)之間的電壓變化。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管專(zhuān)利

1967年7月14日，MIT的Robert和IBM的Watson申請(qǐng)了一件名稱(chēng)為“場(chǎng)效應(yīng)晶體管存儲(chǔ)器”的專(zhuān)利，專(zhuān)利號(hào)為US3387286。這是存儲(chǔ)芯片DRAM的第一件專(zhuān)利，但是在產(chǎn)業(yè)化中英特爾公司后來(lái)居上，打開(kāi)了存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)。

DRAM的基礎(chǔ)專(zhuān)利

1970年2月16日，貝爾實(shí)驗(yàn)室的Boyle和Smith申請(qǐng)了一件發(fā)明名稱(chēng)為“信息存儲(chǔ)裝置”的專(zhuān)利，專(zhuān)利號(hào)為US3858232，這是CCD芯片的基礎(chǔ)專(zhuān)利，通過(guò)將電荷轉(zhuǎn)移到輸出級(jí)，通過(guò)連續(xù)讀出每條光柵線獲得圖像，開(kāi)啟了圖像處理芯片的新紀(jì)元。

第一項(xiàng)CCD專(zhuān)利

1971年5月16日，貝爾實(shí)驗(yàn)室的Tompsett申請(qǐng)了發(fā)明名稱(chēng)為“電荷轉(zhuǎn)移圖像裝置”，專(zhuān)利號(hào)為US4085456，很多人認(rèn)為這件專(zhuān)利與CCD的產(chǎn)業(yè)更相關(guān)。但是諾貝爾獎(jiǎng)授予了前者。

CCD基礎(chǔ)專(zhuān)利

英特爾公司很快在存儲(chǔ)芯片方面被日本企業(yè)趕超，最后不得不關(guān)停了存儲(chǔ)芯片的項(xiàng)目，專(zhuān)攻微處理器芯片。

1973年1月22日，英特爾公司的霍夫申請(qǐng)了一件名稱(chēng)為“用于多芯片數(shù)字計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)”，專(zhuān)利號(hào)為3821715，這是第一件CPU專(zhuān)利，主要內(nèi)容為“一種通用數(shù)字計(jì)算機(jī)，包括多個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）芯片。用作計(jì)算機(jī)一部分的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）與公共雙向數(shù)據(jù)總線耦合到中央處理單元（CPU），每個(gè)存儲(chǔ)器都包括解碼電路，以確定哪個(gè)CPU正在對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行尋址。使用安裝在標(biāo)準(zhǔn)16針雙列直插式包裝上的芯片制造計(jì)算機(jī)，從而可以向計(jì)算機(jī)中添加其他內(nèi)存芯片?！?br/>

英特爾的第一項(xiàng)CPU專(zhuān)利

微處理芯片的發(fā)明和產(chǎn)業(yè)化是科技革命的里程碑事件。（未完待續(xù)）

（原標(biāo)題：芯片專(zhuān)利史）

來(lái)源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）

作者：佑斌

編輯：IPRdaily趙甄          校對(duì)：IPRdaily縱橫君

注：原文鏈接：芯片專(zhuān)利史（一）（點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文）

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