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“我國光伏產(chǎn)業(yè)專利申請總量累計(jì)為16.8萬件，有效專利量為7.3萬件，有效發(fā)明專利量為2.2萬件，均位居全球首位。”
來源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）
近日，中國光伏行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權(quán)專業(yè)委員會聯(lián)合國家工業(yè)信息安全發(fā)展研究中心、工業(yè)和信息化部電子知識產(chǎn)權(quán)中心發(fā)布《光伏產(chǎn)業(yè)專利發(fā)展年度報(bào)告（2024）》。報(bào)告指出，近年來，我國光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速擴(kuò)張、技術(shù)水平持續(xù)進(jìn)步，創(chuàng)新成果不斷涌現(xiàn)，截至2023年12月31日，我國光伏產(chǎn)業(yè)專利申請總量累計(jì)為16.8萬件，有效專利量為7.3萬件，有效發(fā)明專利量為2.2萬件，均位居全球首位，我國成為推動全球產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的重要一極，為全球光伏技術(shù)進(jìn)步貢獻(xiàn)了“中國力量”。
當(dāng)前，我國光伏產(chǎn)業(yè)已建成完整產(chǎn)業(yè)鏈，覆蓋從硅料生產(chǎn)、硅片加工、電池片及組件制造等全領(lǐng)域。我國光伏產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)技術(shù)創(chuàng)新活躍，專利布局水平不斷提升。
報(bào)告顯示，截至2023年底，我國硅料領(lǐng)域?qū)＠暾埩坷塾?jì)為1.3萬件，占全球申請總量的49.5%。近20年我國硅料領(lǐng)域?qū)＠暾埩磕昃鲩L率達(dá)到25.6%。2006年開始，一批國內(nèi)企業(yè)開始布局硅料生產(chǎn)，國內(nèi)掀起創(chuàng)新熱潮，龍頭企業(yè)持續(xù)加大科研投入，通威、協(xié)鑫和新特能源成為國內(nèi)硅料領(lǐng)域?qū)＠暾垟?shù)量最多的三家企業(yè)。
在硅片領(lǐng)域，國內(nèi)硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)加速擴(kuò)產(chǎn)，除主要單晶硅片龍頭企業(yè)憑借先進(jìn)技術(shù)及成本優(yōu)勢持續(xù)加碼促進(jìn)產(chǎn)能之外，其他垂直一體化企業(yè)、二三線硅片企業(yè)及新進(jìn)入者也在快速布局。在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張推動下，我國硅片領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新水平不斷提升。截至2023年底，我國硅片領(lǐng)域申請專利2.8萬件，占全球的比重為45.4%，20年間專利申請量增長將近30倍。隆基綠能、阿特斯、TCL中環(huán)在硅片領(lǐng)域創(chuàng)新活躍，專利申請量在國內(nèi)申請人中排名前三。
2023年，我國晶硅電池產(chǎn)量超過545GW，同比增長64.9%。產(chǎn)能快速擴(kuò)張和產(chǎn)品個(gè)性化競爭推動下，國內(nèi)企業(yè)不斷加大研發(fā)投入力度，在新型電池領(lǐng)域不斷加碼以期引領(lǐng)未來發(fā)展方向，推動技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。截至2023年底，我國在電池領(lǐng)域?qū)＠暾?.3萬件，占全球的比重為58.5%。近20年，我國電池領(lǐng)域?qū)＠暾垟?shù)量增長近67倍。申請人方面，阿特斯、隆基綠能、晶科能源專利申請數(shù)量在電池領(lǐng)域位居前三。
為進(jìn)一步提高組件轉(zhuǎn)換效率，提升產(chǎn)品競爭力，國內(nèi)廠商在研發(fā)高效組件技術(shù)、改善原材料性能、加快組件結(jié)構(gòu)革新等領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，推動我國光伏組件創(chuàng)新水平不斷提升。截至2023年底，我國在組件領(lǐng)域?qū)＠暾?.8萬件，占全球比重為71.2%。從申請趨勢看，我國組件領(lǐng)域?qū)＠暾垟?shù)量增長迅速，從2003年的11件上升到2022年的7062件。晶科能源、阿特斯、隆基綠能位列組件領(lǐng)域?qū)＠暾埩壳叭?/p>
截至2023年底，我國在逆變器領(lǐng)域累計(jì)申請專利3.8萬件，占全球的比重為36.8%。從專利申請人來看，陽光電源、華為、國家電網(wǎng)在逆變器領(lǐng)域?qū)＠暾垟?shù)量位列前三。相對于其它領(lǐng)域，逆變器領(lǐng)域我國專利申請占全球比重偏低，主要由于以MOSFET/IGBT等功率半導(dǎo)體為核心的電力電子器件技術(shù)門檻較高，多年來相關(guān)核心技術(shù)由國外企業(yè)把持。隨著光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展，國內(nèi)企業(yè)不斷加碼IGBT研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，當(dāng)前也具有了一定的專利儲備，但仍有較大的提升空間。
來源：IPRdaily中文網(wǎng)（iprdaily.cn）
編輯：IPRdaily辛夷 校對：IPRdaily縱橫君
注：原文鏈接：《光伏產(chǎn)業(yè)專利發(fā)展年度報(bào)告（2024）》發(fā)布 主要領(lǐng)域創(chuàng)新水平不斷提升（點(diǎn)擊標(biāo)題查看原文）
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