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如何從「背景技術(shù)撰寫」角度,提高申請文件的撰寫質(zhì)量?

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豆豆7年前
如何從「背景技術(shù)撰寫」角度,提高申請文件的撰寫質(zhì)量?

如何從「背景技術(shù)撰寫」角度,提高申請文件的撰寫質(zhì)量?

#文章僅代表作者觀點(diǎn),未經(jīng)作者許可,禁止轉(zhuǎn)載,文章不代表IPRdaily立場#


來源:IPRdaily中文網(wǎng)(IPRdaily.cn)

作者:陳紅紅 北京品源專利代理有限公司

原標(biāo)題:淺談如何由背景技術(shù)的撰寫提高申請文件的撰寫質(zhì)量


背景技術(shù)為說明書的重要組成部分,也是整個(gè)說明書的基礎(chǔ),能體現(xiàn)出專利申請文件的邏輯性。背景技術(shù)記載了現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題,體現(xiàn)了發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷陌l(fā)明點(diǎn),能夠?yàn)榇_定獨(dú)立權(quán)利要求的必要技術(shù)特征提供依據(jù)。本文從選擇性的參考技術(shù)交底書以及背景技術(shù)的撰寫思路等方面對背景技術(shù)的撰寫提出建議,以期提高專利申請文件的撰寫質(zhì)量。


專利申請文件的說明書包括技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)、發(fā)明或?qū)嵱眯滦蛢?nèi)容、附圖說明和具體實(shí)施方式。其中背景技術(shù)部分應(yīng)當(dāng)寫明對發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷睦斫?、檢索、審查有用的背景技術(shù),并且盡可能引證反應(yīng)這些背景技術(shù)的文件。背景技術(shù)能夠體現(xiàn)出說明書整體的邏輯主線,能夠直指發(fā)明或?qū)嵱眯滦蛢?nèi)容所要解決的技術(shù)問題。


但是,背景技術(shù)卻并未引起大多數(shù)申請人或代理人的重視,造成背景技術(shù)撰寫過程中過于隨意,內(nèi)容過多或過少,邏輯混亂,讀起來不知所云,造成審查員無法正確理解發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷膶?shí)質(zhì)、發(fā)明點(diǎn)及其專利性,從而造成背景技術(shù)起不到其該有的作用。


究竟如何撰寫高質(zhì)量的背景技術(shù)呢?筆者從專利代理人的角度給出如下幾點(diǎn)建議:


一、實(shí)際撰寫過程中建議不要照搬技術(shù)交底書


技術(shù)交底書是發(fā)明人和代理人對技術(shù)溝通的重要資料,代理人可以通過技術(shù)交底書獲得技術(shù)相關(guān)的信息。但是,發(fā)明人撰寫的技術(shù)交底書僅是為了介紹技術(shù)信息,因此,有些技術(shù)交底書可能僅對發(fā)明點(diǎn)的技術(shù)內(nèi)容做針對性描述,背景技術(shù)則寥寥數(shù)筆帶過;還有些技術(shù)交底書則可能對背景技術(shù)著墨較多,對相應(yīng)技術(shù)的發(fā)展史、技術(shù)發(fā)展過程中的各種問題以及解決各種問題的過程都進(jìn)行了詳細(xì)介紹。


代理人如果照搬發(fā)明人提供的背景技術(shù)則無法滿足審查指南中對背景技術(shù)做出的基本要求。


比如,如果背景技術(shù)的內(nèi)容過少,將造成審查員(或其他讀者)無法了解發(fā)明或?qū)嵱眯滦退Wo(hù)的客體以及背景技術(shù)中存在的問題和缺點(diǎn),以至審查員無法清楚發(fā)明或?qū)嵱眯滦褪轻槍ΜF(xiàn)有技術(shù)中存在的何種問題提出的;如果背景技術(shù)的內(nèi)容過多,涉及到保護(hù)客體的缺點(diǎn)過多,內(nèi)容繁雜,缺乏條理,導(dǎo)致讀者不能清晰的了解到該發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷恼嬲鉀Q的問題以及所要達(dá)到的效果。


因此,針對發(fā)明人提供的技術(shù)交底書要進(jìn)行選擇性參考,合理運(yùn)用,不能盲目使用。


二、撰寫的思路


首先,針對保護(hù)的客體或其相關(guān)概念進(jìn)行基本介紹。


主要是該客體或相關(guān)概念的所屬的領(lǐng)域、作用以及其應(yīng)用的環(huán)境或者作業(yè)的對象等一些基本情況進(jìn)行介紹??腕w及相關(guān)概念介紹清楚有助于審查員的理解,否則在審查員不了解保護(hù)客體的前提下,并不能真正清楚其缺點(diǎn)及問題所在,造成審查員理解存在偏差。


在背景技術(shù)中可以采用定義的方式對保護(hù)客體進(jìn)行介紹,定義的給出可以參照教科書或工具書,還可以根據(jù)代理人自身對保護(hù)客體的理解進(jìn)行定義。


其次,對現(xiàn)有技術(shù)方案進(jìn)行具體介紹并提出其存在的缺點(diǎn)和問題。


在介紹保護(hù)客體的缺點(diǎn)和問題時(shí),盡量介紹清楚現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,不要單純的采用效果來描述,例如僅僅描述現(xiàn)有技術(shù)中技術(shù)方案的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不介紹其具體結(jié)構(gòu),則造成無法證明專利申請文件提出的技術(shù)方案是簡化的結(jié)構(gòu),因此,無法證明其具有專利性。


由上述可知,對現(xiàn)有技術(shù)的具體技術(shù)方案進(jìn)行介紹是必要的。除了文字描述外還可以通過附圖進(jìn)行輔助說明;有可能的,可以引證反應(yīng)這些背景技術(shù)的文件。尤其要引證包含發(fā)明或者實(shí)用新型權(quán)利要求書中的獨(dú)立權(quán)利要求前序部分技術(shù)特征的現(xiàn)有技術(shù)文件,即引證與發(fā)明或者實(shí)用新型專利申請最接近的現(xiàn)有技術(shù)文件。說明書中引證的文件可以是專利文件,也可以是非專利文件,例如期刊、雜志、手冊和書籍等。引證專利文件的,至少要寫明專利文件的國別、公開號(hào),最好包括公開日期;引證非專利文件的,要寫明這些文件的標(biāo)題和詳細(xì)出處(參照專利審查指南)。


另外,無需提出現(xiàn)有技術(shù)中過多的缺點(diǎn)和問題。在背景技術(shù)中提出過多的缺陷,容易導(dǎo)致審查員不清楚發(fā)明或?qū)嵱眯滦椭饕鉀Q的問題,或者造成獨(dú)立權(quán)利要求由于要解決較多的問題導(dǎo)致保護(hù)范圍縮小。


三、案例分析


該案例是針對“一種靜電放電模擬器的校準(zhǔn)輔助裝置”的背景技術(shù)進(jìn)行的撰寫,要解決的技術(shù)問題是:校準(zhǔn)時(shí),靜電放電模擬器不能連續(xù)集中放電靶靶心導(dǎo)致的無法準(zhǔn)確校準(zhǔn)的問題。


上述案件的背景技術(shù)的撰寫初稿為:


“按照國家相關(guān)規(guī)定,凡是與人接觸的電子設(shè)備都必須進(jìn)行靜電放電抗擾度試驗(yàn),因而靜電放電模擬器/靜電放電發(fā)生器(或叫靜電槍)是電磁兼容測試中使用最廣泛的設(shè)備之一。


靜電放電模擬器傳統(tǒng)的測試方法是人工持槍對準(zhǔn)靜電靶連續(xù)放電,直到示波器上能夠穩(wěn)定讀到準(zhǔn)確的波形,這樣的缺點(diǎn)就是人有被高壓電擊到的可能以及由于通過手握控制不能保持穩(wěn)定,可能造成槍頭不能連續(xù)接觸擊中靶心,引起測量誤差。


目前,針對一些設(shè)置有連接孔的靜電放電模擬器可以使用簡單支架對其進(jìn)行固定,但是對于未設(shè)置連接孔的靜電放電模擬器卻不能使用支架對其進(jìn)行固定,并且即使將靜電放電模擬器進(jìn)行固定,還是需要人去觸發(fā)靜電放電模擬器,依然存在人被高壓電擊到的危險(xiǎn)。


針對上述缺陷,亟需設(shè)計(jì)一種靜電放電模擬器的校準(zhǔn)輔助裝置,以解決靜電放電模擬器不能連續(xù)接觸擊中靶心,引入測量誤差的問題,還避免人去觸發(fā)靜電放電模擬器,以解決人體接觸到高壓電的問題?!?/span>


上述背景技術(shù)中,并沒有對靜電放電模擬器的校準(zhǔn)裝置進(jìn)行介紹,或者對如何校準(zhǔn)靜電放電模擬器進(jìn)行介紹,只是提到了“靜電放電抗擾度試驗(yàn)”和“靜電放電模擬器傳統(tǒng)的測試方法”,如果對該領(lǐng)域不是特別熟悉的讀者(包括審查員)則可能將這兩部分認(rèn)為是同一個(gè)試驗(yàn),而并不會(huì)聯(lián)想到靜電放電模擬器傳統(tǒng)的測試方法是校準(zhǔn)靜電放電模擬器的試驗(yàn)。因此,該背景技術(shù)中并未介紹清楚校準(zhǔn)靜電放電模擬器是如何校準(zhǔn)。


另外,對于現(xiàn)有技術(shù)的介紹中,提到了兩個(gè)缺點(diǎn),一個(gè)缺點(diǎn)是“人有被高壓電擊到的可能”,另一個(gè)缺點(diǎn)是“不能連續(xù)接觸擊中靶心”,而后針對第一個(gè)缺點(diǎn)介紹現(xiàn)有技術(shù)中的解決方案“針對一些設(shè)置有連接孔的靜電放電模擬器可以使用簡單支架對其進(jìn)行固定,但是對于未設(shè)置連接孔的靜電放電模擬器卻不能使用支架對其進(jìn)行固定”。


該背景技術(shù)中提出兩個(gè)缺點(diǎn),并未分清具體哪個(gè)缺點(diǎn)是主要缺點(diǎn),如果以篇幅的多少來區(qū)分,第一個(gè)缺點(diǎn)應(yīng)該為主要缺點(diǎn),但是與申請人真正想解決的問題又背道而馳。另外,針對第一個(gè)缺點(diǎn)給出解決的技術(shù)方案,并未描述清楚結(jié)構(gòu),并不能得出連接孔的結(jié)構(gòu)或位置,也沒有相應(yīng)的附圖進(jìn)行輔助說明,僅能得出現(xiàn)有技術(shù)中不能消除所有類型的靜電放電模擬器校準(zhǔn)時(shí)被電擊的危險(xiǎn)。


最后,由現(xiàn)有技術(shù)存在的問題引出本申請的校準(zhǔn)裝置,以解決兩個(gè)問題,一個(gè)問題是“靜電放電模擬器不能連續(xù)接觸擊中靶心,引入測量誤差的問題”,另一個(gè)問題是“人體接觸到高壓電的問題”。也就是本申請的獨(dú)立權(quán)利要求需要一并解決這兩個(gè)問題,因此獨(dú)立權(quán)利要求中的必要技術(shù)特征相對于解決一個(gè)問題時(shí)的必要技術(shù)特征增加,也造成獨(dú)立權(quán)利要求的保護(hù)范圍減小,將損害申請人的權(quán)益。


基于背景技術(shù)初稿中存在的問題進(jìn)行修改,修改后的背景技術(shù)如下:


“靜電放電發(fā)生器 (ESD Generator) 或叫靜電放電模擬器(ESD Simulator),俗稱靜電放電槍(ESD gun),是電磁兼容測量試驗(yàn)中與靜電放電抗擾度(ESD immunity)試驗(yàn)中的重要設(shè)備,目的是為了檢驗(yàn)電子設(shè)備受到外來靜電放電時(shí)能否正常工作。在進(jìn)行電磁兼容測量試驗(yàn)或靜電放電抗擾度試驗(yàn)時(shí),一般利用結(jié)構(gòu)緊湊的手持式靜電放電模擬器/手持式靜電放電發(fā)生器產(chǎn)生放電,為了保證抗擾度試驗(yàn)的準(zhǔn)確性,需要對靜電放電模擬器校準(zhǔn)后使用。


現(xiàn)有技術(shù)中,在進(jìn)行靜電放電模擬器校準(zhǔn)試驗(yàn)時(shí),操作人員持握靜電放電模擬器對準(zhǔn)靜電靶,操作人員觸發(fā)靜電放電模擬器的開關(guān)后靜電放電模擬器對靜電靶連續(xù)放電,靜電靶將接收的電信號(hào)經(jīng)過高壓衰減器后再傳到示波器上顯示,直到示波器上能夠穩(wěn)定讀到準(zhǔn)確的波形曲線,然后將得到的波形曲線與標(biāo)準(zhǔn)曲線進(jìn)行校準(zhǔn)比對。上述校準(zhǔn)試驗(yàn)中,由于操作人員直接持握靜電放電模擬器進(jìn)行試驗(yàn),將會(huì)造成靜電放電模擬器晃動(dòng),使得靜電放電模擬器不能連續(xù)擊中靶心,示波器上無法顯示穩(wěn)定且準(zhǔn)確的波形曲線,從而不能準(zhǔn)確的對靜電放電模擬器進(jìn)行校準(zhǔn)。


針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,亟需設(shè)計(jì)一種靜電放電模擬器的校準(zhǔn)輔助裝置,以解決靜電放電模擬器不能連續(xù)擊中放電靶靶心導(dǎo)致的無法準(zhǔn)確校準(zhǔn)的問題。


修改后的背景技術(shù)的撰寫思路為:首先給出靜電放電模擬器的定義,介紹其應(yīng)用,并引出其需要校準(zhǔn)后使用。然后,具體介紹現(xiàn)有技術(shù)中靜電放電模擬器校準(zhǔn)的過程,并根據(jù)該具體過程指出該校準(zhǔn)中存在的問題。最后,根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)靜電放電模擬器校準(zhǔn)中存在的問題,提出本申請中需要解決的問題。”


修改后的背景技術(shù)對靜電放電模擬器和其校準(zhǔn)過程均給出了具體的介紹,避免讓審查員帶著疑問進(jìn)行閱讀,并且現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)與需要解決的問題對應(yīng),發(fā)明點(diǎn)一目了然,易獲得審查員的認(rèn)可。


綜上所述,合格的背景技術(shù)應(yīng)該基于對現(xiàn)有技術(shù)的準(zhǔn)確理解,以及準(zhǔn)確、邏輯清晰的語言表達(dá)。合格的背景技術(shù)有助于提高專利申請文件的撰寫質(zhì)量,有助于審查員對申請文件的理解,有助于維護(hù)申請人權(quán)益,因此應(yīng)重視背景技術(shù)的撰寫。



來源:IPRdaily中文網(wǎng)(IPRdaily.cn)

作者:陳紅紅  北京品源專利代理有限公司

編輯:IPRdaily趙珍          校對:IPRdaily縱橫君


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