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“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)

活動(dòng)
其言朗朗6年前
“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)

“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)

#文章僅代表作者觀點(diǎn),不代表IPRdaily立場(chǎng)#


來(lái)源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)

原標(biāo)題:打造高價(jià)值專利培育“海高賽”模式 ——2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)


打造高價(jià)值專利培育“海高賽”模式

 ——2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)


參賽單位:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所

                北京中科微知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司

參賽項(xiàng)目:新型晶體管Hole FinFET


“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)


Hole FinFET 打破國(guó)外集成電路企業(yè)壟斷


集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的先導(dǎo)型、戰(zhàn)略性基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè), 對(duì)國(guó)家信息安全有重要影響。作為集成電路的核心,三維晶體管(FinFET)是當(dāng)前最高端的主流器件,國(guó)外企業(yè)英特爾和三星分別于2014年和2015年已經(jīng)量產(chǎn)14納米工藝,我國(guó)最先進(jìn)的集成電路企業(yè)中芯國(guó)際于2019年量產(chǎn)14納米工藝,落后于國(guó)外2-3代。長(zhǎng)期以來(lái),我國(guó)在相關(guān)產(chǎn)業(yè)因缺乏核心技術(shù)常常受制于人。如何提高我國(guó)集成電路的性能及制造工藝,打破國(guó)外企業(yè)在相關(guān)技術(shù)的壟斷?


中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(微電子所)作為我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路事業(yè)的開(kāi)創(chuàng)者與開(kāi)拓者,接下了這一任務(wù)。作為國(guó)家重大科技專項(xiàng)02專項(xiàng),通過(guò)10年攻關(guān),該先導(dǎo)工藝項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了我國(guó)集成電路先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)從90納米到16納米技術(shù)代的跨越,建立了面向16納米及以下技術(shù)代的先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)公共平臺(tái)和產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合攻關(guān)組織平臺(tái),有效地為相關(guān)企業(yè)、科研院所及高校提供了開(kāi)放服務(wù),已逐漸成為產(chǎn)學(xué)研開(kāi)放合作基地,為正在進(jìn)行的16納米及以下技術(shù)代(包括10納米、7納米、5納米等)的基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),對(duì)我國(guó)的集成電路事業(yè)有著重大的意義。


微電子所先導(dǎo)工藝研發(fā)已邁入國(guó)際前列,根據(jù)微電子所官方新聞,近日微電子所在新型負(fù)電容FinFET器件研究中取得重要進(jìn)展,成功研制出高性能的負(fù)電容FinFET器件,受到國(guó)際多家研發(fā)機(jī)構(gòu)的高度關(guān)注。

 

“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)

“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四) 

知識(shí)產(chǎn)權(quán)打造微電子創(chuàng)新引領(lǐng)者
 

孵化多家創(chuàng)新企業(yè)、共建國(guó)家級(jí)封裝技術(shù)研發(fā)平臺(tái)、打造專門的知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)……微電子所高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù),更是對(duì)專利做了長(zhǎng)遠(yuǎn)布局。


多年來(lái),微電子所積極探索科研院所知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理新模式,在知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)域推出了一系列創(chuàng)新性舉措,為進(jìn)一步提高知識(shí)產(chǎn)權(quán)質(zhì)量、推進(jìn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化、加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)運(yùn)營(yíng)等奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),取得顯著成效。


北京中科微知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司(中科微知)是由中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心和華進(jìn)封裝先導(dǎo)研發(fā)中心三家國(guó)家級(jí)研發(fā)機(jī)構(gòu)共同發(fā)起構(gòu)建的市場(chǎng)化專利運(yùn)營(yíng)服務(wù)機(jī)構(gòu),采用專利運(yùn)營(yíng)與技術(shù)研發(fā)緊密結(jié)合的方式,培育高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)。目前團(tuán)隊(duì)20人,擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)及科研成果產(chǎn)業(yè)化高端人才,具備數(shù)千項(xiàng)半導(dǎo)體相關(guān)專利的運(yùn)營(yíng)管理經(jīng)驗(yàn)。Hole FinFET項(xiàng)目是中科微知團(tuán)隊(duì)運(yùn)營(yíng)管理的重要項(xiàng)目之一,目前FinFET專利正在做進(jìn)一步的追蹤布局中,已系統(tǒng)地部署并開(kāi)展專利維權(quán)行動(dòng),并獲得了階段性的成果,相信在不久的將來(lái),會(huì)獲得更大的成績(jī)。

 

“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)


目前,微電子所已將包括本項(xiàng)目專利在內(nèi)的成套專利授權(quán)許可給武漢新芯集成電路制造有限公司,合同金額1000萬(wàn)美元(6787萬(wàn)元,其中入門費(fèi)617萬(wàn)元,銷售額提成6170萬(wàn)元),在國(guó)內(nèi)第一次實(shí)現(xiàn)集成電路先導(dǎo)技術(shù)的成套專利許可。此外,微電子所與中芯國(guó)際、上海華力微電子等企業(yè)達(dá)成協(xié)議共同研發(fā)20-14納米先導(dǎo)產(chǎn)品工藝開(kāi)發(fā),還與國(guó)內(nèi)某主要半導(dǎo)體廠商達(dá)成共同研發(fā)相關(guān)集成電路技術(shù)的合作和近千項(xiàng)專利許可協(xié)議。

 
高價(jià)值專利培育的“海高賽”模式

 
2018年微電子所與中科微知聯(lián)手以“新型晶體管Hole FinFET”項(xiàng)目參加海高賽并取得了二等獎(jiǎng)的好成績(jī)。經(jīng)過(guò)“海高賽”的歷練,通過(guò)專業(yè)的評(píng)議和專家指導(dǎo),中科微知的知識(shí)產(chǎn)權(quán)團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步充分認(rèn)識(shí)到尖端的技術(shù)要落地生根,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)學(xué)研產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)化,必須加強(qiáng)后續(xù)宣傳、提升知名度、尋求更多合作伙伴。同時(shí),進(jìn)一步加強(qiáng)專利布局、國(guó)際一流企業(yè)研發(fā)追蹤,提升企業(yè)內(nèi)部管理能力,并加大對(duì)外宣傳開(kāi)拓業(yè)務(wù)范圍等,獲得了不少的成績(jī)。

 

“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)

“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)


在過(guò)去的一年中,中科微知已成功獲批工業(yè)和信息化部和國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局第一批電子信息領(lǐng)域高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)培育運(yùn)營(yíng)合作機(jī)構(gòu),并獲得中央財(cái)政專項(xiàng)資金的投資,負(fù)責(zé)智能傳感器領(lǐng)域高價(jià)值知識(shí)產(chǎn)權(quán)培育運(yùn)營(yíng)。為中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心提供綜合知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)。在中科院微電子所與北方華創(chuàng)公司的專利轉(zhuǎn)讓項(xiàng)目(涉及數(shù)十項(xiàng)專利的專利組合)中提供法務(wù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)。作為核心工作組成員負(fù)責(zé)并參與中科院微電子所與數(shù)家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司的專利談判。微知公司知識(shí)產(chǎn)權(quán)團(tuán)隊(duì)作為核心骨干在中科院微電子所與國(guó)際半導(dǎo)體巨頭的專利維權(quán)中提供專業(yè)的綜合知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)。以多元化創(chuàng)新模式支撐中小微科技企業(yè)發(fā)展,通過(guò)專利作價(jià)入股設(shè)立或增資數(shù)十家企業(yè),參與長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際等龍頭企業(yè)無(wú)形資產(chǎn)注入和技術(shù)轉(zhuǎn)移,通過(guò)專利收購(gòu)反授權(quán)、專利質(zhì)押方式為中科靈動(dòng)、中科鐳特等5家企業(yè)提供1500萬(wàn)資金支持。


目前,中科微知已加入了傳感器與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)發(fā)展聯(lián)盟和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。


寄語(yǔ)“海高賽”


“新型晶體管Hole FinFET”專利技術(shù)分析—2018“海高賽”參賽項(xiàng)目跟蹤(四)


北京中科微知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司專利運(yùn)營(yíng)部部長(zhǎng)楊帆:“新的一輪海高賽已拉開(kāi)序幕,在此平臺(tái)上各技術(shù)領(lǐng)域高價(jià)值專利將同臺(tái)競(jìng)技激烈角逐,將在公眾面前豐富展現(xiàn)科技帶來(lái)的變革盛宴。海高賽依托比賽舞臺(tái),發(fā)掘優(yōu)質(zhì)創(chuàng)新存在巨大市場(chǎng)潛力的科技項(xiàng)目,在幾個(gè)月的賽程中提升和加速這些創(chuàng)新科技項(xiàng)目的專利質(zhì)量、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,探尋高價(jià)值專利培育與創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)加速相結(jié)合的新模式。去年的首屆海高賽為產(chǎn)業(yè)化可行度高市場(chǎng)方向明朗的企業(yè),在項(xiàng)目推廣、融資渠道擴(kuò)展、企業(yè)進(jìn)一步加強(qiáng)專利布局等方面提供了大力支持,幫助這些企業(yè)在融資、擴(kuò)大產(chǎn)能、打造產(chǎn)業(yè)園區(qū)等方面取得很大收獲,促進(jìn)實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新技術(shù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)價(jià)值提升。新的一屆海高賽,期望有更多的高質(zhì)量科技項(xiàng)目投入到這場(chǎng)專利培育盛宴中,通過(guò)產(chǎn)業(yè)加速促進(jìn)科技落地開(kāi)花,更好更快得實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)化和產(chǎn)業(yè)化?!?/p>



來(lái)源:IPRdaily中文網(wǎng)(iprdaily.cn)

編輯:IPRdaily王穎          校對(duì):IPRdaily縱橫君


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